Everspin并口磁性MRAM存储芯片MR0D08BMA45

Everspin科技公司成立于2006年，从飞思卡尔半导体公司独立分离出来，成为一家专注于研发开发MRAM磁性存储芯片的半导体科技公司，目前Everspin科技公司产品线包括串行SPI MRAM，256Kb并行MRAM，1Mb并行MRAM， 4Mb并行MRAM，16Mb并行MRAM,STT-MRAM等产品，产品应用数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

Everspin其中1Mb并行MRAM产品MR0D08BMA45容量：1Mb数据结构：128Kx8总线速度：35ns工作电压：3.3V工作温度：C,M（-0~+70摄氏度）8位并行总线接口，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。

以下为EVERSPIN并口mram的型号：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

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