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主页 › 产品中心分立器件SIC MOSFET
碳化硅为机械强度、热稳定度、化学稳定度皆非常优异的化合物半导体,其莫氏硬度为9,熔点2830°C, 只能以600°C 纯KOH溶液蚀刻。碳化硅极高的3.26eV能隙对比起硅的1.12eV ,使碳化硅拥有耐压、高效、稳定、散热等优势。
Fast SiC semiconductor lnc.即思创意股份有限公司专注于sic功率组件之无晶圆厂设计公司,主要提供有650V~1700V之SiC MOSFET与SiC二极管,目前唯一将SIC MOSFET设计可符合常规之12v硅基闸极驱动器使用。现时碳化硅主要应用领域将会于高功率电源市场以及极端环境下的各式应用中。
Product No. Drain-source Voltage[V] Drain-source On-state Resistance(Typ.) [mΩ] Package PDF下载
FF06030Q 650 30 TO-247-4L 暂无
FF06100G 650 100 DFN8x8 暂无
FL06100C 650 100 TO-220-3L 暂无
FF06100D 650 100 TO-220FP 暂无
FL06100D 650 100 TO-220FP 暂无
FF06100F 650 100 TOLL 暂无
FL06150A 650 150 DPAK(MSL 1) 暂无
FF06320A 650 320 DPAK(MSL 1)  暂无
FL06320A 650 320 DPAK(MSL 1) 暂无
FF06320B 650 320 PQFN5x6(MSL 1) 暂无
FL06320B 650 320 PQFN5x6(MSL 1) 暂无
FL06320G 650 320 DFN8x8 暂无
FF061K4 650 1400 DPAK(MSL 1) 暂无
FF12040F 1200 40 TO-247-3L 暂无
FF12040Q 1200 40 TO-247-4L 暂无
FL12190A 1200 190 DPAK(MSL 1) 暂无
FL12190G 1200 190 DFN8x8 暂无
FL12190I 1200 190 SOIC-8 暂无
FF17900E 1700 900 TO-247-3L 暂无
FF17900Q 1700 900 TO-247-4L 暂无
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