并口MRAM存储芯片MR0A08BMA35
2018-06-21 11:51:55
Everspin科技公司成立于2006年，从飞思卡尔半导体公司独立分离出来，成为一家专注于研发开发MRAM磁性存储芯片的半导体科技公司，目前Everspin科技公司产品线包括串行SPI MRAM，256Kb并行MRAM，1Mb并行MRAM， 4Mb并行MRAM，16Mb并行MRAM,STT-MRAM等产品，产品应用数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。
MR0A08BMA35是
Everspin一款并行MRAM芯片非易失性产品，3.3V电压，由128Kx8位构成，35ns的快速读/写周期，工作范围0℃ to +70℃，在工作温度范围内数据保持期长达20年以上而不会丢失,用MRAM替代电池供电的SRAM解决方案，并消除了组装电池以及可靠性问题和不利因素
并行MRAM芯片非易失性产品型号参考：
|
Density
|
Org. |
Part Number |
Pkg. |
Voltage |
Temp |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0 ℃to +70℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16ACMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AVMA35 |
48-BGA |
3.3V |
-40 to +105C |
| 1Mb |
64Kx16 |
MR0A16AMYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BCYS35 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0A08BMA35 |
48-BGA |
3.3V |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0D08BMA45 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
| 1Mb |
128Kx8 |
MR0DL08BMA45 |
48-BGA |
2.7VDD min, 1.8IO |
0℃ to +70℃ |
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