NAND闪存竞争愈演愈烈
2024-07-30 15:17:06
继以
DRAM为代表的高带宽存储器(HBM)之后,人工智能(AI)存储器半导体领域的NAND闪存市场竞争愈演愈烈。
三星电子和SK海力士正在加大力度提升NAND技术和产品的性能和容量,以应对不断增长的人工智能需求。于4月开始量产业界首个1太比特(Tb)三层单元(TLC)第9代V-NAND,彰显其领先技术。
在激烈的分层竞争中,三星电子继主打产品236层第八代V-NAND之后,又推出了290层第九代V-NAND,占据了市场主动。
第九代V-NAND采用新一代NAND闪存接口Toggle5.1,数据输入输出速度可达每秒3.2千兆位(Gbps),较第八代V-NAND提升33%。
三星电子计划以其第9代V-NAND引领AISSD市场,旨在第二季度开发并提供超高容量64太字节(TB)SSD样品。
在巩固了HBM领域领导地位后,SK海力士还显露出了引领NAND领域AI内存市场的雄心。
SK海力士近期成功开发出用于设备内置AI移动NAND解决方案的“ZonedUFS4.0”(ZUFS4.0),将用于具备AI功能的智能手机。ZUFS4.0针对移动设备内置AI进行了优化,据称可提供业界最高的性能。与传统UFS相比,它在长期使用环境下可将智能手机上的应用启动时间缩短约45%,同时还将读写性能降低4倍,并将产品使用寿命延长约40%。
SK海力士计划积极增加高性能16通道企业级SSD(eSSD)及其子公司Solidigm基于QLC的大容量eSSD的销售。SK海力士还将及时推出适用于AIPC的PCIe第五代消费级SSD(cSSD),并优化产品阵容以满足市场需求。
AI让原本举步维艰的NAND市场重新焕发活力,AI服务器采购量的爆发式增长也带动了AI服务器所需的高性能、大容量SSD需求的大幅上涨。配备设备内置AI的个人电脑和智能手机的发布也推动了对NAND的需求。
本文关键词:NAND闪存
上一篇文章:国产32位单片机的电机控制方案
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理:VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半导体品牌的专业分销商 如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
更多资讯关注SRAMSUN. www.xpcontent.com 0755-66658299