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      伪静态存储器(Parrallel pSRAM)的设计是用于直接替代静态随机存储器(SRAM),即使内部存储器的操作并非静态。商业化的两种伪静态存储器分别是伪静态随机存储器(PSRAM)及铁电随机存储器(F—RAM)。PSRAM针对慢速SRAM应用;当纯粹计算每个位的成本时具有竞争优势。F-RAM针对电池后备SRAM(即BBSRAM)应用,在系统成本及产品供应方面具有竞争力。F-RAM还有一个目标用途是用于非易失性数据获得,在这种应用中可以提供卓越的性能。
ISSIISSI是一家专门设计,开发,销售高性能PSRAM存储芯片半导体产品的,PSRAM产品有8Mb/16Mb/32Mb/64Mb四种容量,封装为BGA,可用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。可用JSC,VTI等品牌进行PIN to PIN替换兼容。该品牌非我司代理产品线


Density Org Part Number Vcc Speed(ns) Pkg(Pins) PDF下载
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